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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A | 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFS17W. | INFINEON |
获取价格 |
?For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA? |
|
| BFS17W/T1 | ETC |
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TRANSISTOR HF SMD KLEINSIGNAL |
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| BFS17W_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor |
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| BFS17W_15 | JMNIC |
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NPN 1 GHz wideband transistor |
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| BFS17W_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 1 GHz wideband transistor |
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| BFS17WE6327 | ROCHESTER |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BFS17WH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFS17WH6393 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFS17WT/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |
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| BFS18 | INFINEON |
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npn silicon rf transistor |
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