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BFS18TRL

更新时间: 2024-11-22 03:32:51
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国巨 - YAGEO /
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

BFS18TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.78最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):35最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

BFS18TRL 数据手册

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