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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFS18-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFS18TRL | YAGEO |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFS18TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFS19 | TYSEMI |
获取价格 |
Low current (max. 30 mA) Low Voltage (max. 20 V) Collector current IC 30 mA |
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| BFS19 | NXP |
获取价格 |
NPN medium frequency transistor |
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| BFS19 | INFINEON |
获取价格 |
npn silicon rf transistor |
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| BFS19 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BFS19 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Medium Frequency Transistor |
|
| BFS19 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN medium frequency transistorProduction |
|
| BFS19,215 | NXP |
获取价格 |
BFS19 - NPN medium frequency transistor TO-236 3-Pin |
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