5秒后页面跳转
BFS17W PDF预览

BFS17W

更新时间: 2024-11-24 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
NPN 1 GHz wideband transistor

BFS17W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.17
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.5 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.3 W最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1600 MHz
Base Number Matches:1

BFS17W 数据手册

 浏览型号BFS17W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFS17W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFS17W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFS17W的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFS17W的Datasheet PDF文件第6页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFS17W  
NPN 1 GHz wideband transistor  
1995 Sep 04  
Product specification  
Supersedes data of November 1992  
File under discrete semiconductors, SC14  

BFS17W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFS17A NXP

完全替代

NPN 3 GHz wideband transistor

与BFS17W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFS17W. INFINEON

获取价格

?For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA?
BFS17W/T1 ETC

获取价格

TRANSISTOR HF SMD KLEINSIGNAL
BFS17W_07 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFS17W_15 JMNIC

获取价格

NPN 1 GHz wideband transistor
BFS17W_2015 JMNIC

获取价格

NPN 1 GHz wideband transistor
BFS17WE6327 ROCHESTER

获取价格

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BFS17WH6327XTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
BFS17WH6393 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
BFS17WT/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
BFS18 INFINEON

获取价格

npn silicon rf transistor