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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.045 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.55 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.28 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR35AP_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR35APE6327HTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.045A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COM |
|
| BFR35AR | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW-NOISE RF BROADBAND AMPLIFIERS AND HIGH-SPEED SWITCHING APPL |
|
| BFR36 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| BFR360 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFR360F | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR360F_10 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR360F-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BFR360F-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BFR360FH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, ROHS COM |
|
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