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BFR31-T

更新时间: 2024-11-15 20:46:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 271K
描述
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

BFR31-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.12
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):0.01 AFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):1.5 pFJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BFR31-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR30; BFR31  
N-channel field-effect transistors  
Product specification  
1997 Dec 05  
Supersedes data of April 1991  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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