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BFR31TRL

更新时间: 2024-11-15 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 97K
描述
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

BFR31TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.12配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (ID):0.01 A
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):1.5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BFR31TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR30; BFR31  
N-channel field-effect transistors  
Product specification  
1997 Dec 05  
Supersedes data of April 1991  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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