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BFR31T/R

更新时间: 2024-11-15 20:46:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 271K
描述
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

BFR31T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.12配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (ID):0.01 A
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):1.5 pF
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BFR31T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR30; BFR31  
N-channel field-effect transistors  
Product specification  
1997 Dec 05  
Supersedes data of April 1991  

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