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BFG591,115

更新时间: 2024-01-16 07:06:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 106K
描述
BFG591 - NPN 7 GHz wideband transistor SC-73 4-Pin

BFG591,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-73包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.94
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7000 MHzBase Number Matches:1

BFG591,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFG591  
NPN 7 GHz wideband transistor  
Product specification  
1995 Sep 04  
Supersedes data of November 1992  

BFG591,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFG591 NXP

完全替代

NPN 7 GHz wideband transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-223
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