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BFC47

更新时间： 2024-09-17 03:21:47
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SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
4TH GENERATION MOSFET

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BFC47 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BFC47 数据手册

 浏览型号BFC47的Datasheet PDF文件第2页 
BFC47  
SEME  
LAB  
4TH GENERATION MOSFET  
TO247–AD Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
POWER MOSFETS  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
VDSS  
600V  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
ID(cont)  
18.0A  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
Ω
RDS(on) 0.40  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
Terminal 1 Gate  
Terminal 3 Source  
Terminal 2 Drain  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
I
Drain – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
600  
18  
V
A
DSS  
D
1
I
Pulsed Drain Current  
72  
A
DM  
V
P
Gate – Source Voltage  
±30  
310  
V
GS  
D
Total Power Dissipation @ T  
= 25°C  
W
case  
T , T  
J
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
STG  
°C  
T
L
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 250µA  
600  
V
DSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
D
= V  
250  
DSS  
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
1000  
GS  
DSS  
C
I
Gate – Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
= ±30V , V  
= 0V  
±100 nA  
GSS  
DS  
V
= V  
> I  
, I = 1.0mA  
D
2
4
V
A
Ω
GS(TH)  
GS  
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
I
On State Drain Current  
18  
D(ON)  
= 10V  
= 10V , I = 0.5 I [Cont.]  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
0.40  
DS(ON)  
D
D
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
Prelim. 4/94  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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