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BFC61

更新时间： 2024-09-18 17:01:51
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TTELEC /
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET

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BFC61 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：3.6 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.4 A
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BFC61 数据手册

 浏览型号BFC61的Datasheet PDF文件第2页 
BFC61  
SEME  
LAB  
4TH GENERATION MOSFET  
TO220–AC Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
10.67 (0.420)  
9.65 (0.380)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.83 (0.190)  
3.56 (0.140)  
5.33 (0.210)  
4.83 (0.190)  
2
1.40 (0.020)  
0.51 (0.055)  
3.05 (0.120)  
2.54 (1.000)  
3.73 (0.147)  
3.53 (0.139)  
Dia.  
POWER MOSFETS  
VDSS  
1000V  
3.6A  
1
2 3  
ID(cont)  
1.78 (0.070)  
0.99 (0.390)  
Ω
RDS(on) 4.00  
0.66 (0.026)  
0.41 (0.016)  
1.02 (0.040)  
0.38 (0.015)  
2.92 (0.115)  
2.03 (0.080)  
2.54 (0.100)  
Nom.  
5.08 (0.200)  
Nom.  
Pin 1 — Gate  
Pin 2 — Drain  
Pin 3 — Source  
= 25°C unless otherwise stated)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
case  
V
I
Drain – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
1000  
3.6  
V
A
DSS  
D
1
I
Pulsed Drain Current  
14.4  
±30  
125  
A
DM  
V
P
Gate – Source Voltage  
V
GS  
D
Total Power Dissipation @ T  
= 25°C  
W
case  
T , T  
J
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
STG  
°C  
T
L
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 250µA  
1000  
V
DSS  
GS  
DS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
D
> I  
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
On State Drain Current  
3.6  
A
D(ON)  
= 10V  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
=10V , I = 0.5 I [Cont.]  
4.00  
250  
Ω
DS(ON)  
D
D
= V  
DSS  
I
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
C
1000  
GS  
DSS  
I
Gate – Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
= ±30V , V = 0V  
DS  
±100 nA  
GSS  
V
= V  
, I = 1.0mA  
2
4
V
GS(TH)  
GS  
D
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
Prelim. 4/94  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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