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BFC61

更新时间： 2024-09-16 21:55:35
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SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
4TH GENERATION MOSFET

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BFC61 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.4 A认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BFC61 数据手册

 浏览型号BFC61的Datasheet PDF文件第2页 
BFC61  
SEME  
LAB  
4TH GENERATION MOSFET  
TO220–AC Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
10.67 (0.420)  
9.65 (0.380)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.83 (0.190)  
3.56 (0.140)  
5.33 (0.210)  
4.83 (0.190)  
2
1.40 (0.020)  
0.51 (0.055)  
3.05 (0.120)  
2.54 (1.000)  
3.73 (0.147)  
3.53 (0.139)  
Dia.  
POWER MOSFETS  
VDSS  
1000V  
3.6A  
1
2 3  
ID(cont)  
1.78 (0.070)  
0.99 (0.390)  
Ω
RDS(on) 4.00  
0.66 (0.026)  
0.41 (0.016)  
1.02 (0.040)  
0.38 (0.015)  
2.92 (0.115)  
2.03 (0.080)  
2.54 (0.100)  
Nom.  
5.08 (0.200)  
Nom.  
Pin 1 — Gate  
Pin 2 — Drain  
Pin 3 — Source  
= 25°C unless otherwise stated)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
case  
V
I
Drain – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
1000  
3.6  
V
A
DSS  
D
1
I
Pulsed Drain Current  
14.4  
±30  
125  
A
DM  
V
P
Gate – Source Voltage  
V
GS  
D
Total Power Dissipation @ T  
= 25°C  
W
case  
T , T  
J
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
STG  
°C  
T
L
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 250µA  
1000  
V
DSS  
GS  
DS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
D
> I  
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
On State Drain Current  
3.6  
A
D(ON)  
= 10V  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
=10V , I = 0.5 I [Cont.]  
4.00  
250  
Ω
DS(ON)  
D
D
= V  
DSS  
I
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
C
1000  
GS  
DSS  
I
Gate – Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
= ±30V , V = 0V  
DS  
±100 nA  
GSS  
V
= V  
, I = 1.0mA  
2
4
V
GS(TH)  
GS  
D
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
Prelim. 4/94  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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