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BFC44 PDF预览

BFC44

更新时间： 2024-09-17 12:53:35
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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BFC44 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

BFC44 数据手册

 浏览型号BFC44的Datasheet PDF文件第2页 
BFC44  
SEME  
LAB  
4TH GENERATION MOSFET  
TO247–AD Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
POWER MOSFETS  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
VDSS  
800V  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
ID(cont)  
13.0A  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
Ω
RDS(on) 0.80  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
Terminal 1 Gate  
Terminal 3 Source  
Terminal 2 Drain  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
I
Drain – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
800  
13.0  
52  
V
A
DSS  
D
1
I
Pulsed Drain Current  
A
DM  
V
P
Gate – Source Voltage  
±30  
310  
V
GS  
D
Total Power Dissipation @ T  
= 25°C  
W
case  
T , T  
J
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
STG  
°C  
T
L
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 250µA  
800  
V
DSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
D
= V  
250  
DSS  
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
1000  
GS  
DSS  
C
I
Gate – Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
= ±30V , V  
= 0V  
±100 nA  
GSS  
DS  
V
= V  
> I  
, I = 1.0mA  
D
2
4
V
A
Ω
GS(TH)  
GS  
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
I
On State Drain Current  
13.0  
D(ON)  
= 10V  
= 10V , I = 0.5 I [Cont.]  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
0.80  
DS(ON)  
D
D
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
Prelim. 4/94  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  
12

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