5秒后页面跳转
BF966A PDF预览

BF966A

更新时间: 2024-11-12 14:41:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal

BF966A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.7
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-PRDB-F4
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF966A 数据手册

  

与BF966A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF966S VISHAY

获取价格

N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF966SA VISHAY

获取价格

N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF966SB VISHAY

获取价格

N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF967 INFINEON

获取价格

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
BF968 INFINEON

获取价格

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
BF970 VISHAY

获取价格

Silicon PNP Planar RF Transistor
BF970A NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BF979 VISHAY

获取价格

Silicon PNP Planar RF Transistor
BF979_08 VISHAY

获取价格

Silicon PNP Planar RF Transistor
BF979S INFINEON

获取价格

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR