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BF989

更新时间: 2024-11-11 22:39:35
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恩智浦 - NXP 栅极
页数 文件大小 规格书
8页 70K
描述
N-channel dual-gate MOS-FET

BF989 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-143包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.8外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.02 A最大漏极电流 (ID):0.02 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF989 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF989  
N-channel dual-gate MOS-FET  
April 1991  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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