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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-143 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 7.95 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.02 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BF996S,215 | NXP |
完全替代  |
N-channel dual-gate MOSFET SOT-143 4-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF991_15 | JMNIC |
获取价格 |
N-channel dual-gate MOS-FET |
|
| BF991_2015 | JMNIC |
获取价格 |
N-channel dual-gate MOS-FET |
|
| BF991-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-143, 4 PIN, FET RF Small |
|
| BF991T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MICRO MINIATURE, PLASTIC, SMD |
|
| BF991TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semico |
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| BF991TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
|
| BF991TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semico |
|
| BF992 | NXP |
获取价格 |
Silicon N-channel dual gate MOS-FET |
|
| BF992,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel dual-gate MOSFET SOT-143 4-Pin |
|
| BF992/R | ETC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Dual-Gate MOS-FETs |
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