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BF569R

更新时间： 2024-01-04 21:58:29

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	86K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP,

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BF569R 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz
Base Number Matches：	1

BF569R 数据手册

BF569/BF569R

Silicon PNP Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

For selfoscillating RF mixer stages

13 581

94 9280

9510527

BF569 Marking: LH

BF569R Marking: LM

Plastic case (SOT 23)

1= Collector; 2= Base; 3= Emitter

Absolute Maximum Ratings

Parameters

Collector-base voltage

Symbol

Value

Unit

–V

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

–I

°C

Total power dissipation

Junction temperature

amb

≤ 60°C

tot

200

150

Storage temperature range

stg

65... 150

Maximum Thermal Resistance

Parameters

Symbol

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board

(25 x 20 x 1.5) mm plated with 35 m Cu

thJA

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A3, 31-Oct-97

12 3 4 5

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