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BF591

更新时间: 2024-01-06 23:26:36
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
NPN high-voltage transistors

BF591 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.15 A
集电极-发射极最大电压:170 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BF591 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF591; BF593  
NPN high-voltage transistors  
1997 Jul 02  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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