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BF579-GS18

更新时间: 2024-11-16 21:06:43
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威世 - VISHAY 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP,

BF579-GS18 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):0.025 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES

BF579-GS18 数据手册

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