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BF587

更新时间: 2024-02-02 01:11:41
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
NPN high-voltage transistors

BF587 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.85最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:2.5 pF集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:5 W
最大功率耗散 (Abs):1.6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzBase Number Matches:1

BF587 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BF585; BF587  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 21  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Dec 09  

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