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BF556B-T

更新时间: 2024-02-20 10:35:52
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 104K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET RF Small Signal

BF556B-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 VFET 技术:JUNCTION
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF556B-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF556A; BF556B; BF556C  
N-channel silicon junction  
field-effect transistors  
Product specification  
1996 Jul 29  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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