BF569

更新时间： 2024-02-18 00:06:48

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威世 - VISHAY		晶体晶体管光电二极管放大器
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描述
Silicon PNP Planar RF Transistor

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BF569 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.03	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.28 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	950 MHz	Base Number Matches：	1

BF569 数据手册

BF569/BF569R

Vishay Telefunken

Silicon PNP Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

For selfoscillating RF mixer stages.

Features

High gain

Low noise

13 581

94 9280

9510527

BF569 Marking: LH

BF569R Marking: LM

Plastic case (SOT 23)

1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

–V

CBO

CEO

EBO

–I

amb

≤ 60 C

tot

200

150

–65 to +150

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85000

Rev. 3, 20-Jan-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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