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BF556C

更新时间: 2024-01-20 18:42:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 104K
描述
N-channel silicon junction field-effect transistors

BF556C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.79配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 VFET 技术:JUNCTION
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF556C 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF556A; BF556B; BF556C  
N-channel silicon junction  
field-effect transistors  
Product specification  
1996 Jul 29  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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