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BF556BT/R

更新时间： 2024-01-11 15:09:32

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	61K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET RF Small Signal

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BF556BT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BF556BT/R 数据手册

BF556A; BF556B; BF556C

N-channel silicon junction ﬁeld-effect transistors

Rev. 03 — 5 August 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel symmetrical silicon junction ﬁeld-effect transistors in a SOT23 package.

CAUTION

This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

MSC895

1.2 Features

■ Low leakage level (typ. 500 fA)

■ High gain

■ Low cut-off voltage.

1.3 Applications

■ Impedance converters in e.g. electret microphones and infrared detectors

■ VHF ampliﬁers in oscillators and mixers.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source

voltage (DC)

±30

V_GSoff

I_DSS

gate-source cut-off I_D= 200 µA;

−0.5

−7.5

voltage

V_DS= 15 V

drain current

V_GS= 0 V; V_DS= 15 V

BF556A

BF556B

250

BF556C

P_tot

y_fs

total power

dissipation

_amb≤ 25 °C

forward transfer

admittance

V_GS= 0 V; V_DS= 15 V

4.5

12 3 4 5 6 7...13

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与BF556BT/R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BF556B-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
BF556B-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
BF556C	NXP	获取价格	N-channel silicon junction field-effect transistors
BF556C-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
BF556C-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
BF-56056015%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 560uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
BF562	INFINEON	获取价格	npn silicon rf transistor
BF-565615%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 56uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
BF568	INFINEON	获取价格	PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
BF569	YAGEO	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili