5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.47 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BES1104X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, |
|
| BES1105 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BES1105R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BES1105X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, |
|
| BES1106 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BES1106R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BES1106X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BES1301 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, |
|
| BES1301R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
| BES1301X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
