是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BES1306R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, | |
BES1306X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, | |
BES321ER | ETC |
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Optoelectronic | |
BES321GW | ETC |
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Optoelectronic | |
BES321HD | ETC |
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Optoelectronic | |
BES321YY | ETC |
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Optoelectronic | |
BES322ER | ETC |
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Optoelectronic | |
BES322GW | ETC |
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Optoelectronic | |
BES322HD | ETC |
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Optoelectronic | |
BES322YY | ETC |
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Optoelectronic |