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BES1306R

更新时间: 2024-11-05 18:04:11
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon,

BES1306R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1相数:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BES1306R 数据手册

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