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BDY46

更新时间： 2024-01-21 05:11:29

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	195K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY46 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	13 MHz
Base Number Matches：	1

BDY46 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY46

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 300V(Min.)

·DC Current Gain-

: h_FE=20(Min.)@I_C= 2A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 15A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Voltage regulator

·Inverter

·Switching mode power supply

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

600

300

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_CM

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C≤45℃

Junction Temperature

℃

T_J

175

-65~175

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.37

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY47	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDY47	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY47	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 350V 15A
BDY53	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY53	COMSET	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY53	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY53_12	COMSET	获取价格	SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY54	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY54	COMSET	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY54	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device