BDY47

更新时间： 2024-02-19 10:19:20

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	195K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY47 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13 MHz	Base Number Matches：	1

BDY47 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY47

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 350V(Min.)

·DC Current Gain-

: h_FE=20(Min.)@I_C= 2A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 15A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Voltage regulator

·Inverter

·Switching mode power supply

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

750

350

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_CM

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C≤45℃

Junction Temperature

℃

T_J

175

-65~175

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.37

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDY53	COMSET	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY53	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY53_12	COMSET	获取价格	SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY54	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY54	COMSET	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
BDY54	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDY54	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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