BDY57

更新时间： 2024-01-01 01:51:25

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描述
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

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BDY57 数据手册

BDY57 – BDY58

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

LF Large Signal Power Amplification

High Current Fast Switching

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

125

120

160

V_CBO

V_EBO

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

BDY57

BDY58

Collector Current

Base Current

I_C

I_B

BDY57

BDY58

Power Dissipation

@ T_C= 25°

P_TOT

175

Watts

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

BDY57

BDY58

-65 to +200

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDY57

BDY58

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJ-C

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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