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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDX34D-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plas |
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| BDX34-S | TRSYS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BDX35 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 |
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| BDX35 | NXP |
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NPN switching transistors |
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| BDX35 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDX35 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS |
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| BDX35 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDX35B | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 |
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| BDX36 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDX36 | NXP |
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NPN switching transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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