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BDX34D-S PDF预览

BDX34D-S

更新时间： 2024-11-16 19:56:43
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 85K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-220, FM-3

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BDX34D-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BDX34D-S 数据手册

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BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C, BDX34D  
PNP SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33C and  
BDX33D  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
70 W at 25°C Case Temperature  
10 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 3 A  
FE  
This series is currently available, but  
not recommended for new designs.  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDX34  
-45  
-60  
BDX34A  
BDX34B  
BDX34C  
BDX34D  
BDX34  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
-80  
V
-100  
-120  
-45  
BDX34A  
BDX34B  
BDX34C  
BDX34D  
-60  
VCEO  
-80  
V
-100  
-120  
-5  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
V
A
Continuous collector current  
Continuous base current  
-10  
IB  
-0.3  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)  
Operating free air temperature range  
Ptot  
Ptot  
TJ  
70  
W
W
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Storage temperature range  
Tstg  
TA  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
AUGUST 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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与BDX34D-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX34-S TRSYS

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX35 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126
BDX35 NXP

获取价格

 		NPN switching transistors
BDX35 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
BDX35 COMSET

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 		SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
BDX35 SAVANTIC

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BDX35B NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126
BDX36 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
BDX36 NXP

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 		Trans GP BJT NPN 75V 5A 3-Pin TO-126

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