是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SIP | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.44 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 5 A |
基于收集器的最大容量: | 60 pF | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 45 |
JEDEC-95代码: | TO-126 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 15 W |
最大功率耗散 (Abs): | 15 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | 最大关闭时间(toff): | 500 ns |
最大开启时间(吨): | 300 ns | VCEsat-Max: | 1.2 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BDX35B | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 | |
BDX36 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BDX36 | NXP |
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NPN switching transistors | |
BDX36 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 75V 5A 3-Pin TO-126 | |
BDX36 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS | |
BDX37 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BDX37 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS | |
BDX37 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 75V 5A 3-Pin TO-126 | |
BDX37 | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistors | |
BDX42 | COMSET |
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SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |