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BDX35

更新时间: 2024-11-15 22:40:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 75K
描述
NPN switching transistors

BDX35 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.44Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
基于收集器的最大容量:60 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):45
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:15 W
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz最大关闭时间(toff):500 ns
最大开启时间(吨):300 nsVCEsat-Max:1.2 V
Base Number Matches:1

BDX35 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BDX35; BDX36; BDX37  
NPN switching transistors  
1997 Apr 16  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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