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BDX42

更新时间: 2024-09-27 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 70K
描述
NPN Darlington transistors

BDX42 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.77外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:5 W最大功率耗散 (Abs):0.00125 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.6 VBase Number Matches:1

BDX42 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BDX42; BDX43; BDX44  
NPN Darlington transistors  
Product specification  
1997 Jul 02  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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