BDX35

更新时间： 2024-11-16 08:52:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BDX35 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDX35 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BDX35

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High current (Max: 5A)

APPLICATIONS

·High current switching in power

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current-Peak

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

100

Open collector

I_CM

I_BM

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

_mb≤75℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to ambient

Thermal resistance from junction to mounting base

VALUE

100

UNIT

K/W

R_{th j-a}

R_{th j-mb}

12 3

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