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BDT61A

更新时间： 2024-01-15 08:51:06
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POINN 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDT61A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BDT61A 数据手册

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BDT61, BDT61A, BDT61B, BDT61C  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
AUGUST 1993 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with  
BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
50 W at 25°C Case Temperature  
4 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 1.5 V, 3 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDT61  
60  
BDT61A  
BDT61B  
BDT61C  
BDT61  
80  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
100  
120  
60  
BDT61A  
BDT61B  
BDT61C  
80  
VCEO  
V
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
Continuous base current  
4
0.1  
IB  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
Tj  
50  
W
W
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Storage temperature range  
Tstg  
TA  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.4 W/°C.  
2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDT61AF PHILIPS

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 		Transistor,
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 		暂无描述
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