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BDT63

更新时间： 2024-09-26 12:23:43

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COMSET		晶体晶体管
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5页	111K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BDT63 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	10000 ns
最大开启时间（吨）：	2500 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

BDT63 数据手册

SEMICONDUCTORS

BDT63-A-B-C

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220

envelope. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and

analogue switching application.

PNP complements are BDT62-A-B-C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDT63

100

120

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

BDT63A

BDT63B

BDT63C

100

120

V_CEO

BDT63

BDT63A

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

I_C

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

Collector Peak Current

I_CM

BDT63B

BDT63C

26/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

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与BDT63相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDT63A	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT63A	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BDT63AF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDT63A-SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON
BDT63B	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT63B	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BDT63B	NJSEMI	获取价格	Darlington BJT
BDT63C	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT63C	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BDT63C	NJSEMI	获取价格	Darlington BJT