Datasheet > BDT63A

BDT63A

更新时间： 2024-02-15 21:57:48

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	111K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDT63A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	21 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDT63A 数据手册

SEMICONDUCTORS

BDT63-A-B-C

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220

envelope. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and

analogue switching application.

PNP complements are BDT62-A-B-C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDT63

100

120

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

BDT63A

BDT63B

BDT63C

100

120

V_CEO

BDT63

BDT63A

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

I_C

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

Collector Peak Current

I_CM

BDT63B

BDT63C

26/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与BDT63A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDT63AF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDT63A-SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON
BDT63B	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT63B	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BDT63B	NJSEMI	获取价格	Darlington BJT
BDT63C	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDT63C	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BDT63C	NJSEMI	获取价格	Darlington BJT
BDT63CF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDT63C-SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON