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BDT63C

更新时间： 2024-02-16 11:09:41

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	119K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDT63C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	21 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDT63C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDT63/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 10A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= 3A

·Complement to Type BDT62/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general purpose

amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

Collector-Emitter

Voltage

V_CER

100

120

BDT63A

BDT63B

BDT63C

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.25

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.39

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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