BDT64AF

更新时间： 2024-01-10 04:24:17

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	115K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDT64AF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	22 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDT64AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDT64F/AF/BF/CF

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -12A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= -5A

·Complement to Type BDT65F/AF/BF/CF

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general purpose

amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-60

UNIT

BDT64F

BDT64AF

BDT64BF

BDT64CF

BDT64F

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CER

-100

-120

-60

BDT64AF

BDT64BF

BDT64CF

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

-20

Base Current-Continuous

-0.5

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

5.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BDT64BF	ISC	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor	获取价格
BDT64BF	NXP	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS	获取价格