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BDT60B

更新时间: 2024-02-07 03:04:56
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TRSYS 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 693K
描述
PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BDT60B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):4 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):17 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):10 MHz

BDT60B 数据手册

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