BDT61A

更新时间： 2024-09-25 03:21:35

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDT61A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BDT61A 数据手册

BDT61, BDT61A, BDT61B, BDT61C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

●

Designed for Complementary Use with

BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

50 W at 25°C Case Temperature

4 A Continuous Collector Current

Minimum h of 750 at 1.5V, 3 A

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BDT61

BDT61A

BDT61B

BDT61C

BDT61

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

V_CBO

100

120

BDT61A

BDT61B

BDT61C

V_CEO

100

120

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

Continuous collector current

Continuous base current

0.1

I_B

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)

Operating junction temperature range

P_tot

T_j

°C

-65 to +150

Storage temperature range

T_stg

T_A

Operating free-air temperature range

NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.4 W/°C.

2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

AUGUST 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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