5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-126S, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD238LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD238L-T60-K | UTC |
获取价格 |
-80V, PNP TRANSISTOR |
|
| BD238L-T6S-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| BD238S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
|
| BD238STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD238STU | ONSEMI |
获取价格 |
Power 2 Amp 80 V PNP 25W Bipolar Junction Transistor, 1920-TUBE |
|
| BD239 | BOURNS |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD239 | COMSET |
获取价格 |
MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS |
|
| BD239 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BD239 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
