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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD239A
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BD239A

更新时间： 2024-11-07 04:09:11
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD239A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.42
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BD239A 数据手册

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BD239, BD239A, BD239B, BD239C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD240 Series  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
30 W at 25°C Case Temperature  
2 A Continuous Collector Current  
4 A Peak Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD239  
55  
BD239A  
BD239B  
BD239C  
BD239  
70  
Collector-emitter voltage (RBE = 100 Ω)  
VCER  
V
90  
115  
45  
BD239A  
BD239B  
BD239C  
60  
Collector-emitter voltage (IC = 30 mA)  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
2
4
A
0.6  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
30  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
½LIC  
32  
2
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.24 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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BD239A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD239A-S BOURNS

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

与BD239A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD239A16 MOTOROLA

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 		2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A16A MOTOROLA

获取价格

 		2A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6200 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6203 RENESAS

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 		4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6226 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6258 RENESAS

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 		4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6261 RENESAS

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BD239A-6263 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6264 RENESAS

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