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BD239A

更新时间： 2024-01-10 13:29:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD239A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BD239A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD239/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD240/A/B/C

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD239

BD239A

BD239B

BD239C

BD239

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

115

BD239A

BD239B

BD239C

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

0.6

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD239A-6226	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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