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BD239A

更新时间： 2024-11-30 12:51:11

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3页	103K
描述
MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS

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BD239A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V

BD239A 数据手册

NPN BD239 – A – B – C

MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING

APPLICATIONS.

The BD239, A, B, C are mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are the silicon epitaxial-base Power Transistors for use in medium power linear and

switching applications.

The PNP complements are BD240, A, B, C.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BD239

100

BD239A

BD239B

BD239C

BD239

Collector-Emitter Voltage

BD239A

BD239B

BD239C

BD239

BD239A

BD239B

BD239C

115

100

5.0

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100 Ω)

V_CBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

I_CM

0.5

Collector Current

I_B

Base Current

@ T_amb= 25° C

@ T_case= 25° C

P_T

Power Dissipation

T_J

T_S

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-amb

R_thJ-case

Thermal Resistance, Junction-ambient

Thermal Resistance, Junction-case

4.17

°C/W

22/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD239A16	MOTOROLA	获取价格	2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A16A	MOTOROLA	获取价格	2A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6200	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6203	RENESAS	获取价格	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6226	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6255	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6258	RENESAS	获取价格	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6261	RENESAS	获取价格	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239A-6263	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239A-6264	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti