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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD238STU
BD238STU PDF预览

BD238STU

更新时间： 2024-09-23 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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BD238STU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.69
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD238STU 数据手册

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BD234/236/238  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD 233/235/237 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: BD234  
: BD236  
: BD238  
- 45  
- 60  
- 100  
V
V
V
V
CEO  
CER  
EBO  
: BD234  
: BD236  
: BD238  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
V
: BD234  
: BD236  
: BD238  
- 45  
- 60  
- 100  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
- 2  
V
A
I
I
C
*Collector Current (Pulse)  
- 6  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD234  
: BD236  
: BD238  
I = - 100mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD234  
CBO  
V
V
V
= - 45V, I = 0  
- 100  
- 100  
- 100  
µA  
µA  
µA  
CB  
E
: BD236  
: BD238  
= - 60V, I = 0  
CB  
CB  
E
= - 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= - 2V, I = - 150mA  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 1A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 1A , I = - 0.1A  
- 0.6  
- 1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
V
= - 2V, I = - 1A  
C
BE  
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 10V, I = -250mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD238STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD140G ONSEMI

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2N4920G ONSEMI

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BD239-6200 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239-6203 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239-6226 RENESAS

获取价格

 		4A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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