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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.21 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD236 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| BD236 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD236 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching |
|
| BD236 | CJ |
获取价格 |
TO-126 |
|
| BD236 | CENTRAL |
获取价格 |
60V,2A,25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switc |
|
| BD236 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 |
|
| BD236LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD236STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD236STU | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
|
| BD237 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
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