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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD235STU
BD235STU PDF预览

BD235STU

更新时间： 2024-02-27 09:11:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD235STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-126
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.4最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD235STU 数据手册

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BD233/235/237  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD 234/236/238 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
100  
V
V
V
CBO  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
CER  
EBO  
V
V
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
100  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
5
V
A
I
I
2
C
6
25  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD233  
CBO  
V
V
V
= 45V, I = 0  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
CB  
CB  
CB  
E
: BD235  
: BD237  
= 60V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 2V, I = 150mA  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 1A, I = 0.1A  
0.6  
1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
V
= 2V, I = 1A  
C
BE  
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 250mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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