5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BD233
BD233 PDF预览

BD233

更新时间： 2024-11-28 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

BD233 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.2外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD233 数据手册

 浏览型号BD233的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD233的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD233的Datasheet PDF文件第4页 
BD233/235/237  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD 234/236/238 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
100  
V
V
V
CBO  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
CER  
EBO  
V
V
: BD233  
: BD235  
: BD237  
45  
60  
100  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
5
V
A
I
I
2
C
6
25  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD233  
: BD235  
: BD237  
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD233  
CBO  
V
V
V
= 45V, I = 0  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
CB  
CB  
CB  
E
: BD235  
: BD237  
= 60V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 2V, I = 150mA  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 1A, I = 0.1A  
0.6  
1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
V
= 2V, I = 1A  
C
BE  
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 250mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

中文翻译

下载PDF

与BD233相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD233-BP MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD233-BP-HF MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BD233LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD233STU ROCHESTER

获取价格

 		2A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD234 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD234 ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium Power Bipolar Transistors
BD234 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD234 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SILICON PNP TRANSISTOR
BD234 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching
BD234 CENTRAL

获取价格

 		45V,2A,25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switc

与BD233相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证